На ранних моделях компьютеров ОЗУ были установлены на материнских платах в виде отдельных микросхем. Отдельные интегральные схемы, называемые микросхемами с двухрядным расположением выводов (DIP), были неудобны в установке и часто расшатывались. Для решения этой проблемы проектировщики объединили интегральные схемы в особую печатную плату, создав модуль памяти. Типы модулей памяти приведены на рисунке 1.
ПРИМЕЧАНИЕ. Модули памяти бывают односторонними и двухсторонними. На односторонних модулях памяти микросхемы ОЗУ напаяны только с одной стороны. На двухсторонних модулях памяти микросхемы ОЗУ расположены с обеих сторон.
Скорость работы памяти оказывает прямое воздействие на объем данных, который может обработать процессор, поскольку более быстрая память улучшает его производительность. С повышением скорости работы процессора скорость работы памяти также должна возрастать. Например, одноканальная память способна передавать данные со скоростью 64 бита на такт. У двухканальной памяти путем использования второго канала скорость повышена до 128 битов на такт.
Технология двойной скорости данных (DDR) позволяет удвоить максимальную пропускную способность по отношению к SDRAM. DDR2 обеспечивает более высокую производительность и потребляет меньше энергии. DDR3 работает на еще большей скорости по сравнению с DDR2. Тем не менее, ни одна из технологий DDR не обладает прямой или обратной совместимостью. На рисунке 2 приведены распространенные типы памяти и их скорости.
Кэш
Статическое ОЗУ (SRAM) используется в качестве кэш-памяти для хранения недавно использованных данных и команд. SRAM обеспечивает процессору более быстрый доступ к данным по сравнению с более медленным динамическим ОЗУ (DRAM), или основной памятью. На рисунке 3 приведены три наиболее распространенных типа кэш-памяти.
Выявление ошибок
Если данные сохраняются на микросхемах ОЗУ с ошибками, возникают ошибки памяти. Компьютер использует различные способы выявления и исправления ошибок в памяти. Различные типы выявления ошибок приведены на рисунке 4.